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陈玉武; 郝秋艳; 刘彩池; 王立建; 孙海知; 赵建国;
天津市河北工业大学信息功能材料研究所;
PFCVD; 氮化硅; RTP; 太阳电池;
机译:通过PECVD和快速热处理制备的AIN薄膜的性能
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:快速热退火对PECVD SiN_x薄膜性能的影响
机译:组成,形貌和半导体性能对通过快速热处理制备的铜铟镓硒硒薄膜太阳能电池效率的影响。
机译:衬底温度对pECVD制备氮化硅薄膜性能的影响
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用
机译:选择性形成富氢的PECVD氮化硅以提高NMOS晶体管的性能
机译:通过PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
机译:PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
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