“Au—n^＋（薄）—InP”结构及界面特性分析

摘要

“Ａｕ－ｎ~＋（薄）－Ｉｎｐ”结构及界面特性分析夏瑞东，陈定钦（首都师范大学物理系１０００３７）（中国科学院半导体所１０００８３）摘要采用＂ＡＥＳ＂技术分析了Ａｕ－ＩｎＰ接触在不同温度下热处理得到的结果。发现Ａｕ向Ｉｎｐ一侧内扩散，并认为正是这种高掺?..