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韩军; 冯雷; 邢艳辉; 邓军; 徐晨; 沈光地;
北京工业大学电子信息与控制工程学院;
北京100124;
金属有机物气相淀积(MOCVD); p型氮化镓(CaN); X射线双晶衍射(DCXRD); 原子力显微镜(AFM);
机译:退火气氛对MOCVD生长的ZnO:N薄膜的影响及XANES研究ZnO:N薄膜的p型掺杂机理
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:退火时间和NH_3流量对MOCVD在非晶SiO_2上沉积GaN薄膜的影响
机译:不同生长参数对MOCVD生长In_xGa_(1-x)N / GaN薄膜质量影响的结构研究
机译:MOCVD生长和n型氧化锌薄膜的特性。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:硅掺杂对MOCVD在n型6H-SiC上生长的AlN薄膜场发射特性的影响
机译:低压mOCVD法研究载气对GaN薄膜形貌和镶嵌分散的影响
机译:MOCVD生长MG掺杂的GAN半导体薄膜的P型活化等离子退火方法
机译:表皮生长基质,生产GAN基半导体薄膜的过程,GAN基半导体薄膜,生产GAN基半导体发光元素的过程以及GAN基半导体发光元素的过程
机译:GaN单晶,GaN薄膜薄膜基体和GaN单晶生长装置的生产方法
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