Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si结构基片中ZnO薄膜特性影响的实验研究

摘要

采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征,采用扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜进行表面形貌表征,并从薄膜生长机理角度进行了分析。结果表明,加Al薄膜有利于ZnO薄膜按(002)择优取向生长,并且ZnO薄膜的结晶性能提高;与(002)ZnO/Si结构基片相比,当Al薄膜厚为100nm时,(002)ZnO/Al/Si结构中ZnO薄膜的机电耦合系数提高了65%。