Al ドープZnO 薄膜の電気的特性の径方向分布に及ぼすスパッタRF 電力及びHe 希釈の効果

摘要

アルミニウムドープ酸化亜鉛(Al-doped ZnO :AZO)は低い抵抗率(≦10~（-3） Ωcm)と可視光領域(400 ~ 800nm)における80%以上の高い光透過率を有することから透明導電膜の材料として注目されている. マグネトロンスパッタによるAZO 堆積では抵抗率の径方向不均一性が報告されており, ターゲット水平磁場強度が最大となるエロージョン領域直下における導電性や移動度の低下が問題となっている.また, これらの特性はAZO の結晶配向性と密接に結びついている. 本研究ではRF マグネトロンスパッタ法によるAZO 薄膜作製においてターゲットRF 電力の変化及びスパッタガスとしてAr ガスに加えてHe ガスの導入を試みた. これらの制御により成膜中に基板へ入射する高エネルギー粒子に起因するダメージを低減し,導電性の径方向分布を改善することを目的とした.