法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-07-06
授权
授权
2014-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20140617
实质审查的生效
2014-09-03
公开
公开
机译: 在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译: 通过ALD工艺制造非晶NiO薄膜的方法和使用该非晶NiO薄膜的非易失性存储器件
机译: 非晶层和薄膜太阳能电池的晶化方法及采用该晶化方法的细胞的制备方法