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苏林; 杨保和; 王芳; 李翠萍; 朱宇清;
天津大学精密仪器与光电子工程学院;
天津300072;
天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室;
天津300384;
薄膜体声波谐振器(FBAR); ZnO薄膜; 溅射功率; 择优取向; 极化分布; 压电响应力显微镜(PF; M);
机译:多组分PZT薄膜的制备和压电特性-GHz高k_t /高Q_m FBAR
机译:压电/超声材料:反应溅射法制备AlN薄膜-在薄膜体弹性波谐振器(FBAR)中的应用
机译:FBAR的p-InP(100)衬底上压电ZnO外延膜的沉积和结构特性
机译:FBAR多层薄膜的制备和压电分析
机译:取向ZnO压电薄膜的制备与评价及其在声表面波器件中的应用
机译:多共振频率的掺锂ZnO薄膜压电能量收集器的制备与表征
机译:磁控溅射制备的ZnO薄膜光学特性分析
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)
机译:气溶胶沉积法制备ZnO AZO和ITO薄膜的柔性耐久性和特性的方法
机译:用于制备纺织纤维,特别是棉纤维样品的制备装置,适用于分析和/或测量设备,用于分析和/或测量形成所述样品的纺织纤维的特性
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