分子束外延生长ZnO薄膜及性能研究

摘要

用分子束外延(MBE)和氧气氛方法,并改变束源炉和衬底生长温度,在Si(100)衬底上,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题,生长得到ZnO薄膜.在ZnO/Zn/Si(100)薄膜样品的X射线衍射(XRD)谱中,观测到ZnO的(100)、(002)、(101)、(102)和(103)等衍射峰;用原子力显微镜(AFM)观测ZnO薄膜的表面形貌,为直径约80-90nm的量子点,表明已得到具有纳米结构的ZnO薄膜.用同步辐射EXAFS技术研究了ZnO薄膜的局域结构,得到有关的几个结构参数.