硅漂移探测器的制作工艺及特性研究

摘要

采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD).这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度.对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析,对233Pu a射线源的能谱进行了测量.对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论.报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法.