X線検出素子（Silicon Drift Detector）の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究

摘要

In order to efficiently collect electrons produced by X-rays, a silicon drift detector (SDD) with Peltier cooling has MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) on the opposite plane to the X-ray incidence plane, which raise the price of SDD. To lower the price, a SDD without MOSFETs has been proposed and experimentally investigated. To detect fluorescent X-rays with high energies, such as the X-ray fluorescence of Cd, a new structure of SDD fabricated using high-resistivity Si has been proposed.%ベルチェ冷却で動作するX線検出素子であるSilicon Drift Detector（SDD）は，X線で発生した電子を効率よく収集するため，受光面の反対面にMOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）を形成し，素子内部に電界形成している.しかし，素子構造の簡素化による低価格化を目指し，MOSFETを含まない構造を検討した.さらに，有害元素（Cd等）の蛍光Ⅹ線を検出できるように，Si基板の高抵抗率化・厚膜化を目指した構造を提案し，その可能性に関して実験より検討した．