Ⅹ線検出素子（Silicon Drift Detector）の簡素化と高エネルギーX線に対する高感度化

摘要

あらまし　市販のべルチェ冷却で動作するⅩ線検出素子であるSilicon Drift Detector（SDD）は，X線が入射したときに半導体内部で発生した電子を効率良く収集するため，受光面の反対面に多数のpリングを形成し，それぞれのpl）ング間を微細加工されたMOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effbct Transistor）で接続し，素子内部に最適な電位こう配を形成している．本研究では，素子構造の簡素化による低価格化を目指し，微細加工されたMOSFETを含まない構造を検討した．更に，Cd等の有害元素からの高エネルギー蛍光X線を効率良く検出できるように，Si基板の高抵抗率化・厚膜化を目指した構造を提案し，その可能性に関して実験面から検討した．