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离子注入后氧化层BOE腐蚀工艺优化

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摘要

半导体器件制备过程中,SiO2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭受离子轰击而产生缺陷,牺牲氧化层在注入完成之后,氧化层的性质和结构会发生较大变化,在被腐蚀去除过程中,腐蚀速率不确定性较大,本文研究了牺牲氧化层的腐蚀工艺选择过程.

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来源
《中国新技术新产品》 |2018年第11期|63-64|共2页
作者
商亚峰;
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作者单位

厦门吉顺芯微电子有限公司,福建厦门 361000;

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正文语种 chi
中图分类金属腐蚀与保护、金属表面处理;
关键词
牺牲氧化; BOE腐蚀; 氧化;

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