晶体管保护环的制作方法、离子注入工艺优化方法及装置

摘要

晶体管保护环的制作方法、离子注入工艺优化方法及装置，其中晶体管保护环的离子注入工艺优化方法，包括下列步骤：通过变化离子注入工艺条件中的注入角度值，确定优化的注入角度值；采用优化注入角度值，通过变化离子注入工艺条件中的注入剂量值与注入能量值，确定优化的注入剂量值；采用优化注入角度值和优化注入剂量值，通过变化离子注入工艺条件中的注入能量值，确定优化的注入能量值。优化方法考虑到了各个参数之间的相互关联性对离子注入工艺的影响，依次对离子注入的参数做全面且充分的优化，使保护环结构在降低MOSFET短沟道效应等负面效应的作用得以充分发挥，从而更好地满足器件的设计要求。