CdSe薄膜的溶剂热制备及其光电化学性能研究

摘要

以CdCl2.2.5H2O为镉源,以Se粉为硒源,在苄胺体系中,180℃溶荆热条件下制备了CdSe纳米晶薄膜.并用XRD、SEM、TEM、UV-vis等对产物进行了一系列的表征,结果表明在该条件下可以得到粒径在10～20nm、较为均匀的CdSe纳米晶薄膜.同时在标准的三电极体系下,测试了CdSe纳米晶薄膜电极的光电化学性能.在光强32mW/cm2的模拟太阳光的照射下,该电极的开路电压(Voc)为0.395V,光电流密度(Isc)为0.951mA/cm2,填充因子(FF)为0.51,该电池的光电转化效率η为0.6%.