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离子束增强沉积TiN薄膜及其界面的结构研究

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cqvip:利用分析电子显微术的方法研究了离子束增强沉积的Si基TiN薄脱及其与基体间过渡区的结构,发现在TiN薄膜和基体间存在约50nm厚的非晶Si过渡层,含微量Ti和N,TiN薄膜的晶粒尺寸均匀,小于10nm.

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来源
《自然科学进展》 |1994年第2期|175|共1页
作者
程志英; 朱静; 柳襄怀;
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作者单位

不详;

不详;

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正文语种 chi
中图分类喷镀法;
关键词
离子束; 增强沉积; TiN薄膜; 界面结构;

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