VLSI金属互连线电迁移噪声检测敏感性的逾渗模拟

摘要

在电迁移物理机制的基础上结合逾渗理论,建立了一种金属互连线电迁移的逾渗模型.基于该模型,采用蒙特卡罗方法模拟了超大规模集成电路(VLSI)金属互连线电迁移过程中电阻和低频噪声参数的变化规律.结果表明,与传统的电阻测量方法相比,低频噪声表征方法对电迁移损伤更敏感,检测的效率更高.该研究结果为低频噪声表征VLSI金属互连线电迁移损伤的检测方法提供了理论依据.