纳米MOS器件场氧化层和栅氧化层电离总剂量效应仿真

摘要

利用Silvaco TCAD软件,研究了电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿真模型,分3种情况探究了TID效应影响下,场氧化层和栅氧化层对NMOSFET的阈值电压、漏电流和跨导的影响。仿真结果表明,在TID效应影响下,28 nm NMOSFET场氧化层对器件阈值电压、漏电流和跨导的影响都明显大于栅氧化层,随着器件尺寸的减小,场氧化层在TID效应中对NMOSFET电学特性的影响较大。仿真结果为进一步探究NMOSFET的TID效应提供了参考。