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韩源源; 程旭; 韩军; 曾晓洋;
复旦大学微电子学院;
SRAM; 存储单元; 单粒子翻转; 多节点翻转; 临界电荷;
机译:290mV,7nm超低电压单端口SRAM编译器设计,使用12T写入争用和读取翻转自由位单元
机译:在标称电压下工作的45nm和28nm大容量基于CMOS SRAM的FPGA中电子引起的单事件翻转
机译:存储单元布局是亚微米DICE CMOS SRAM单事件翻转敏感性的一个因素
机译:290MV超低电压单端口SRAM编译器设计,采用7NM FinFET技术中的12T写入争用和读取翻转自由位单元
机译:SRAM的体系结构设计,具有片上错误检测和针对单事件翻转的纠正功能。
机译:使用Syzygium inumiNi叶提取物的体育型单壶生物合成和铁铜和银纳米粒子的表征:作为一种有效的抗微生物和黄曲霉毒素B1吸附剂
机译:具有32nm SOI CMOS中的用于低压操作的64 kB差分单端口12T SRAM设计,用于低压操作
机译:CmOs sRam中单粒子翻转的分析模型和实验结果比较
机译:“提供一种用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路”
机译:提供一种用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路
机译:单粒子翻转容错存储单元的布局
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