一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元

摘要

一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元，它涉及一种SRAM存储单元，本发明要解决目前没有既能在近阈值或亚阈值电压区域工作，又能有效抵抗单粒子多节点翻转效应的SRAM存储单元结构的问题，本发明通过设计冗余加固技术以及合理的结构设计，增加了电路的内部节点数量从而达到抗单粒子翻转的目的；通过极性加固技术，对电路结构中的特定节点进行了抗单粒子翻转加固保护；此外，还通过版图加固技术，实现了对可能发生多节点翻转的节点对的隔离。在电路级和版图级加固的联合作用下，所提出的近阈值SRAM存储单元具备抵抗单粒子多节点翻转的能力。满足了低电压应用领域对抗单粒子多节点翻转近阈值SRAM存储单元的设计需求。