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于春青; 李同德; 王亮; 郑宏超; 毕潇; 王亚坤;
北京微电子技术研究所;
动态总剂量; 静态总剂量; MRAM; 数据位错误;
机译:双极技术中商用零件的总电离剂量效应的多尺度建模
机译:用于HEP实验的130纳米商用CMOS技术中的总电离剂量效应
机译:集电极-发射极偏压对NPN Si BJTs总电离剂量效应影响的实验研究
机译:γ射线辐射在几种商用光学收发器上的总电离剂量效应
机译:先进CMOS技术中的总电离剂量效应。
机译:通过电检测磁共振研究TiN / Ti / HfO2 / TiN电阻性随机存取存储器的总电离剂量效应
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:电子辐射硬度保证技术研究。第二卷,第二部分。电离辐射率和总剂量效应的电子筛选。
机译:在总电离剂量效应下16nm MLC NAND闪存的错误表征和缓解
机译:自优化电路,用于减轻完全耗尽的绝缘体上硅技术中的总电离剂量效应,温度漂移和老化现象
机译:耐辐射单元MOSFET增强了抗单事件效应和总电离剂量效应的能力
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