采用聚焦离子束光刻制造超低噪声HEMT

摘要

日本三菱电气公司LSI研究与发展实验室首次报导了采用聚焦离子束光刻制造超低噪声HEMT。高电子迁移率晶体管在微波及毫米波波长范围内比通常的GaAs MESFET显现出了更优越的低噪声性能。对于超低噪声HEMT,用直接电子束光刻和多层阻抗技术能获得具有蘑菇形的1/4微米栅或T形栅结构,这种结构能有效地减小栅寄生电阻。首次将聚焦离子束光刻技术应用于制备蘑菇形1/4微米栅HEMT,获得了超低噪声微波性能。