Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响

摘要

利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜.通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能.Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ·cm,波长190 nm-850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%.