1μm CMOS电路研制中光刻胶反向腐蚀工艺研究

摘要

本文详细阐述了运用于１μｍ ＣＭＯＳ电路制作的光刻胶反向腐蚀工艺。通过扫描电镜分析。在Ｌａｍ４５００ＳｉＯ２刻蚀机及Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ５０００ ＰＥＣＶＤ上使台阶高度由原来的５５０ｎｍ以上降到１５０ｎｍ以下，剖面角由原来的８０°以上降到３０°以下。