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徐政; 陈菊英;
中国华晶电子集团公司中央研究所;
超薄氧化层; MOS电路; QBD成品率; 制造工艺;
机译:具有超薄$ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} $埋入式氧化层的Si晶圆上的低于-10-nm的超薄绝缘体上InGaAs绝缘体上MOSFET MOSFET
机译:超薄NBTIN薄膜表面氧化层的表征
机译:具有超薄氧化层的MOS结构中的电荷态性质
机译:栅氧化层成品率与可靠性的关系模型失败
机译:氧化物表面和金属氧化物界面的反应性:水蒸气压力对超薄氧化铝膜的影响,以及铂在超薄氧化膜上的生长模式及其对粘附力的影响的研究。
机译:基于QBD的QBD对局部麻醉原位成膜系统的真皮半固体研究
机译:超薄(3-nm)栅氧化层中等离子体诱导的充电损伤
机译:表面氧化过程初始步骤的光谱研究:研究反应堆管材上氧化层形成的研究。 1987年2月15日至1990年2月15日期间的最后报告
机译:用于测量钢板氧化层厚度的装置和方法不仅准确地测量了超薄氧化层,而且还测量了厚氧化层
机译:监测栅氧化层成品率的统计方法
机译:超薄SOI垂直双极晶体管,具有倒置集电极的薄氧化层(盒),用于低基体偏置操作及其方法
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