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杜行尧; 石林初; 等;
中国华晶电子集团公司;
无锡214061;
射频功率晶体管; 发射极; 电流集边效应; 有效发射区宽度;
机译:发射极和集电极宽度对硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)性能的影响的仿真
机译:先进BiCMOS技术的硅化物自对准窄宽度多晶硅发射极晶体管的电流增益增加和外围基极电流的抑制
机译:磷掺杂的多晶硅发射极晶体管的类似杂发射极的特性。第一部分:通过电学测量获得的多晶硅发射极中的能带结构
机译:磁敏晶体管的偏转长度和发射极宽度对灵敏度的影响
机译:4-氢碳化硅中的高压注入-发射极双极结型晶体管和Darlington晶体管。
机译:基于发射极和表面等离激元相互作用的单光子晶体管
机译:具有发射极接触窗宽度的双极晶体管的不同特性
机译:EsD(静电放电)/ EOs(电过载)对一类双极射频功率晶体管的敏感性:对带状线对置发射晶体管的实验研究
机译:半导体器件,即绝缘栅双极晶体管,具有接触区域,该区域的宽度在切沟的方向上延伸时,其接触部分在发射极掺杂层上的宽度比其他部分小
机译:大型射频功率晶体管发射极划分的方法和系统
机译:射频功率晶体管的发射极稳定旁路
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