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宁Jun; 夏冠群;
不详;
旁栅效应; 光敏; 迟滞现象; MESFET; 深能级; 砷化镓;
机译:GaAs衬底中EL2的光猝灭对GaAs / AlAs短周期超晶格很好约束的GaAs单量子的压电光热和表面光电压谱的影响
机译:EL2的深能级对超短脉冲光注入下半绝缘GaAs光电导的影响
机译:深能级瞬态光谱中捕获截面的准确测量:GaAs EL2中的应用
机译:高增益横向半绝缘GaAs光电导开关中的EL2深能级缺陷和带隙双光子吸收
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:通过正电子漂移速度瞬态测量观察到的半绝缘Gaas中的深能级缺陷EL2和EL6的电子发射
机译:Gaas / alGaas这种结栅场效应晶体管。
机译:用于半导体衬底的半导体辐射检测器,其电极组件设有阻挡栅,该栅栅由泵栅电致动以控制电荷载体从电荷载流子储存器到衬底的转移
机译:Gaas-带有刻度的衬底,已组装aegaassb-缓冲器,用于生产高铟含量的场效应晶体管
机译:Gaas衬底的清洗方法,Gaas衬底的制造方法,外延衬底的制造方法以及Gaas晶片
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