NMOSESD保护器件直流仿真模型设计

姜玉稀; 陆嘉; 冉峰; 杨殿雄

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NMOSESD保护器件直流仿真模型设计

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本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究.并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型.该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻.提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法.仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性.

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来源
《微计算机信息》|2008年第28期|296-298|共3页
作者
姜玉稀; 陆嘉; 冉峰; 杨殿雄;
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作者单位

200072,上海,上海大学微电子研究与开发中心;

200072,上海,上海大学微电子研究与开发中心;

200072,上海,上海大学微电子研究与开发中心;

200072,上海,上海大学微电子研究与开发中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
ESD; 骤回; 寄生效应; 建模; 参数提取;
入库时间 2023-07-24 16:33:35

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