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葛水兵; 程珊华; 宁兆元; 沈明荣;
苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006;
脉冲激光沉积; ZnO膜; 掺杂比; 氧分压;
机译:氧分压比对Al-N共掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:ZnO缓冲层对脉冲激光沉积在蓝宝石上生长的磷掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:氧分压含量对射频溅射铝掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:生长温度对脉冲激光沉积制备Al掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:衬底温度和氧分压对脉冲激光沉积生长纳米晶铜氧化物薄膜性能的影响
机译:掺杂剂浓度对电沉积法制备高效CuZnSnS薄膜太阳能电池用透明导电Al掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:ZnO:al掺杂水平和氢生长环境对CIGs太阳能电池性能的影响:预印
机译:浸渍有三偏酯和AG掺杂的ZNO纳米颗粒的杀菌剂,制备含有AG掺杂的ZNO纳米颗粒的带有三氯甘油的胶体的方法和制备该杀菌剂的方法
机译:聚合物组合物和清漆,使用TiO2 // ZnO掺杂的ZnO或还原的ZnO,以及提高聚合物组合物物理因素稳定性的方法
机译:用于光电探测器的Al ZnO UV衬底,包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器
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