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王必本; 徐幸梓;
亚洲大学分子科学与技术系,水原,442-749,韩国;
重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400044;
碳纳米管 热灯丝CVD 负衬底偏压;
机译:衬底偏压对MPCVD无氢导入下沉积的碳纳米管生长和性能的影响
机译:以负的衬底偏压控制纳米线的成核和生长
机译:在负衬底偏压下生长的磁控溅射掺Er的AlN薄膜的结构和光学性质
机译:使用负偏压辅助CVD在硅基衬底上氮化钛的多晶金刚石的生长
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:衬底形态对碳纳米管薄膜生长和场发射特性的影响
机译:分析介电常数以确定sp(3)/ sp(2)比率和衬底偏压对使用s弯曲过滤阴极真空电弧工艺生长的四面体无定形碳膜的椭偏光谱研究的影响
机译:组分和衬底偏压对溅射沉积Ni-La合金组织和惰性气体含量的影响
机译:在硅衬底上生长金刚石膜,并在衬底上施加偏压;棋盘格图案
机译:碳纳米管的生长过程和碳纳米管束形成的衬底
机译:用于在衬底中制造一层金属层的方法,使用碳纳米管,衬底的表面和衬底表面,使用碳纳米管
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