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负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究

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摘要

利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统,在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFc的Si衬底上制备得到了碳纳米管.研究发现,负偏压对NiFe层的裂解和碳纳米管的生长都有很大的影响.本文详细分析和讨论了负偏压在碳纳米管生长过程中的作用.

著录项

来源
《功能材料》 |2004年第z1期|2866-2869|共4页
作者
王必本; 王波; 朱满康; 张兵; 严辉;
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作者单位

北京工业大学,应用数理学院,北京,100022;

北京工业大学,薄膜材料实验室,北京,100022;

北京工业大学,薄膜材料实验室,北京,100022;

北京工业大学,薄膜材料实验室,北京,100022;

北京工业大学,应用数理学院,北京,100022;

北京工业大学,薄膜材料实验室,北京,100022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
碳纳米管; 负偏压; 热丝CVD;

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