首页> 中文会议>第五届中国功能材料及其学术会议 >负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究

负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究

摘要

利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统,在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备得到了碳纳米管.研究发现,负偏压在NiFe层的裂解和碳纳米管的生长都有很大的影响.本文详细分析和讨论了负偏压在碳纳米管生长过程中的作用.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号