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ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

         

摘要

介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展。详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨。

著录项

  • 来源
    《材料导报》 |2007年第s1期|47-49|共3页
  • 作者单位

    西北工业大学理学院应用物理系;

    西北工业大学理学院应用物理系;

    西北工业大学理学院应用物理系;

    西北工业大学理学院应用物理系;

    西北工业大学理学院应用物理系 西安710072;

    西安710072;

    西安710072;

    西安710072;

    西安710072;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TB383.2;
  • 关键词

    ZnO薄膜; P型掺杂; p-n结; 磁性能;

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