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ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展

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摘要

目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素(Mn,Co,Fe)掺杂,使之具备半导体和磁性材料的综合特性,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.本文对近几年来过渡金属离子掺杂的ZnO薄膜材料磁性能的研究进展作一综述.

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来源
《科技信息》 |2011年第35期|685736|共2页
作者
南貌; 吕小龙;
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作者单位

宝鸡职业技术学院电子信息工程系陕西宝鸡721013;

宝鸡技师学院陕西宝鸡721000;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
ZnO薄膜; 过渡金属; 稀磁半导体; 掺杂;

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