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张梦婕; 李艳芳; 胡静; 郭月莹; 彭波;
电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心,四川成都611731;
二维材料; 过渡族金属硫化物; 金属掺杂; 理论计算; 合成方法;
机译:镍促进的过渡金属硫化物上的活性位点,其催化芳族化合物的氢化
机译:8族过渡金属硫化物分子的红外光谱和密度泛函理论计算
机译:第10族过渡金属硫化物分子和配合物的红外光谱和密度泛函理论计算
机译:二维过渡金属双硫族化物(TMDC)场效应晶体管(FET)中的静电门控研究
机译:富含混合金属的早期过渡金属硫化物和磷化物系统中高温三元相的研究
机译:准金属二维过渡金属硫族化物中的各向异性集体电荷激发
机译:在高温下形成的富含金属的过渡金属硫化物和硒化物的X射线衍射研究:1.钽硫体系; 2. IV-B族双金属硒化物
机译:镧系元素掺杂的RbTiOasO(sub 4)和过渡金属掺杂的KTiOpO(sub 4)的光学性质
机译:使用金属有机骨架和由此制造的多孔过渡金属硫化物制造过渡金属硫化物的方法
机译:制备具有锂含量的过渡金属硫化物的方法,使用由通过所述方法获得的电极形成的所述过渡金属硫化物,并使用包括所述电极的锂离子电池。
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