TDG高磁导率MnZn铁氧体材料性能改进

摘要

现代电子技术的飞跃发展，应用范围的快速扩展，对高磁导率MnZn铁氧体提出了新的更高要求。文中以TS10材料改善为例，介绍近两年来天通控股高磁导率MnZn铁氧体材料性能改善成果。主要包括以下三个方面：磁导率频率特性改善；磁导率常温区及65℃附近温度特性改善；磁导率抗应力特性研究改善。