碳离子束注入辅助蒸发低温沉积DLC薄膜研究

摘要

采用碳离子束注入辅助蒸发技术低温沉积了DLC薄膜,对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,并对该薄膜的摩擦学行为进行了探讨.研究发现:碳离子束注入辅助蒸发技术沉积的DLC薄膜在离子量为3.0×1017 ions/cm2,沉积率为0.1 nm/s时具有最小的摩擦因数(＜0.1);电流为2.0 mA比3.0 mA条件下所沉积的DLC薄膜表面光滑;磨损试验后,DLC薄膜的表面只有轻微磨损的痕迹.