利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法

摘要

本发明的利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法，涉及沉积DLC薄膜的装置和方法，目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性，导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题，装置包括笼网、真空室、高压脉冲电源、偏压脉冲电源和解耦装置；笼网笼罩在待镀膜工件表面需镀膜区域，笼网与待镀膜工件之间具有间隙且绝缘，笼网与待镀膜工件总体构成空心阴极放电结构；方法具体步骤如下：步骤一、沉积硅过渡层；步骤二、沉积薄膜。本发明的有益效果是：装置简单，笼网大小可以根据所需镀膜范围任意调节，能够满足不同尺寸表面的局部镀膜要求，灵活性好。