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闫晗; 牛新环; 张银婵; 朱烨博; 侯子阳; 屈明慧; 罗付;
河北工业大学电子信息工程学院;
天津市电子材料与器件重点实验室;
铜互连; 化学机械抛光; 缓蚀剂; 集成电路;
机译:用于CMP和CMP后清洁的基于羟胺的化学品中铜的缓蚀剂
机译:PVA刷洗对镶嵌铜互连的CMP后清洁工艺的影响
机译:EDTA基碱性清洁溶液对CMP铜互连后CMP清洗中的TAZ去除的影响
机译:BEOL铜CMP工艺对TDDB的影响,用于直接抛光28nm及更高工艺节点上的超低k介电铜互连
机译:超大规模互连制造工艺中双金属铜腐蚀的基础研究。
机译:机械增强的石墨烯-铜复合材料减少了向互连应用的热膨胀
机译:pVa刷洗涤对大马士革铜互连Cmp后清洗工艺的影响
机译:正磷酸盐作为高碱度饮用水系统中铜缓蚀剂的作用
机译:镶嵌工艺,用于消除化学机械抛光(CMP)过程中的铜缺陷,以在集成电路上进行电互连
机译:通过使用含有具有二氧化硅吸附和铜腐蚀抑制性能的有机化合物的溶液来防止CMP过程中铜互连上的沉淀缺陷
机译:CMP工艺中使用大尺寸铜填充的片上互连电路
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