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孙伟; 姚学玲; 陈景亮;
西安建筑科技大学机电工程学院;
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室;
ZnO压敏电阻; 脉冲电流; 伏安特性; 隧道击穿;
机译:Zn掺杂对高脉冲电流应力下ZnO压敏电阻稳定性的影响
机译:纳秒脉冲电流下ZnO压敏电阻的边界击穿时间
机译:硼和钠掺杂ZnO压敏电阻具有高稳定性的脉冲电流浪涌
机译:脉冲电流作用下ZnO压敏电阻的TSC特性研究
机译:使用循环伏安法在阳极氧化铝模板中电化学制备ZnO纳米线。
机译:优化Bi2O3和TiO2以实现ZnO低压敏电阻的最大非线性电性能
机译:加工条件对根据可用的纳米晶体ZnOE电子补充信息制备的压敏电阻的影响:1)与Sb,Bi和Co涂覆前后的纳米ZnO样品的HRTEM相关的EDX; 2)添加所有掺杂剂后,在300°C下煅烧的压敏电阻粉末的HRTEM和EDTEM与HRTEM相关; 3)在1050°C烧结的核壳压敏电阻样品的FESEM与EDX相关。参见http://www.rsc.org/suppdata/jm/b3/b306280e/
机译:重新开始制造用于铁电中子发生器电源的ZnO压敏电阻的化学制备工艺。
机译:ZnO ZnO基压敏电阻的组成以及制造该压敏电阻的方法和使用该压敏电阻的压敏电阻
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