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徐稼迟; 沈能珏;
无;
MOCVD工艺; 特种气体; 化学气相淀积法; MOCVD法; 化合物半导体; 金属氢化物; 金属有机物; 挥发性; 相类似; 硅外延;
机译:使用MOCVD反应器中的原位选择性区域蚀刻在图案化的Si(001)衬底上形成V型沟槽的工艺
机译:MOCVD工艺通过MOCVD加工在锗上的抗犹太纳米晶体的气相外延
机译:使用二钴(六碳萘基)叔丁基乙炔通过MOCVD沉积的Co膜的特征以及通过Ti覆盖层的两步退火工艺形成的CoSi2膜的表征
机译:MOCVD工艺建模,使用原位反射率测试结构测量来改进工艺控制
机译:GaN MOCVD工艺的仿真和优化。
机译:压电BiFeO3薄膜:在Si上进行MOCVD工艺的优化
机译:使用DMEAA的MOCVD工艺生长Al膜的实验和计算分析
机译:mOCVD工艺技术,适用于经济实惠,高产量,高性能的mEsFET结构。 mImIC第3阶段
机译:使用同一中心杆进行MOCVD的化油器用于MOCVD的化油器或化油器中分散载气的方法和汽化载气的方法
机译:源极交替MOCVD工艺以沉积氮化钨薄膜作为MOCVD铜互连的阻挡层
机译:用于MOCVD工艺的前体溶液和控制MOCVD沉积PCMO组成的方法
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