在使用MOCVD和HVPE来生长III-V氮化物膜中的寄生微粒抑制

摘要

本发明描述一种在金属有机化学气相沉积工艺中抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向反应腔室提供基板以及向所述反应腔室导入有机金属前驱物、微粒抑制化合物与至少第二前驱物。第二前驱物与有机金属前驱物反应，以在基板上形成成核层。另外，本发明描述一种在形成III-V氮化物层期间抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向反应腔室导入含III族金属的前驱物。III族金属前驱物可以包含卤素。也向至反应腔室导入卤化氢气体与含氮化合物。含氮气体与III族金属前驱物反应，以在基板上形成III-V氮化物层。