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机译:使用MOCVD反应器中的原位选择性区域蚀刻在图案化的Si(001)衬底上形成V型沟槽的工艺
机译:使用MOCVD反应器中的原位选择性区域蚀刻在图案化的Si(001)衬底上形成V型沟槽的工艺
机译:SiO_2图案化Si(001)衬底上选择性Ge外延的刻面形成和横向过度生长
机译:在图案化的Si(001)衬底上选择性生长的Ge量子点的形成和光学性质
机译:低损伤选择性刻蚀和聚焦离子束构图原位处理GaAs / AiGaAs
机译:基于聚焦离子束的砷化镓原位图案(001)和砷化铟/砷化镓(001)的光学研究
机译:通过MOCVD在300mm GE缓冲的Si(001)衬底上产生的o频带Qualtum Dots
机译:通过在预图案化(001)衬底上进行选择性MBE生长形成高密度GaAs六角形纳米线网络
机译:原位图案:选择性区域沉积和蚀刻。材料研究社会研讨会论文集。第158卷