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杨伟光;
长电科技(滁州)有限公司 安徽滁州239000;
先进工艺; 集成电路; 静电放电; 防护设计; 可靠性研究;
机译:通过工艺光谱检查从集成电路血管放电中从集成电路基板去除的光致抗蚀剂涂层的诊断
机译:28 nm和40 nm CMOS工艺在静电放电应力下漏极扩展的NMOS的研究
机译:2.5D / 3D集成电路的静电放电物理验证
机译:关于静电放电引起的软故障的集成电路特征。
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:静电放电引起的集成电路电磁免疫问题
机译:美国宇航局工艺标准计划:静电放电控制。
机译:免费的MOS型集成电路,具有在静电放电作用下与npn型双极型晶体管同时极化的保护元件,其中晶体管消除了放电电流
机译:确定集成电路的静电放电/闩锁行为涉及使用相同的工艺步骤共同生产集成电路和测试结构,并测量测试结构
机译:半导体集成电路的静电放电保护装置,使用该制造方法的静电放电保护电路以及静电放电保护装置
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