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刘克岳; 王金义; 郎维和;
华北光电技术研究所;
外延衬底; 晶体生长; CZT晶体; 碲锌镉;
机译:HgCdTe在大面积Si和CdZnTe衬底上的分子束外延研究进展
机译:衬底位错对用于HgCdTe外延层生长的CdZnTe衬底中Hg扩散的影响
机译:顺应性衬底上外延晶体生长的研究进展
机译:镓酸锂衬底上氮化镓和氮化铝镓/氮化镓异质场效应晶体管(HFET)的外延生长。
机译:不含颗粒催化剂的蒸气–液体–固体在其上生长毫米级晶体化合物半导体非外延衬底
机译:利用分子束外延生长在Insb衬底上的晶格匹配CdZnTe合金的少数载流子寿命
机译:分子束外延生长HgCdTe外延层在CdTe,CdZnTe和Gaas衬底上的可行性和成本评估。
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:高电子迁移率晶体管,场效应晶体管,外延衬底,外延衬底的制造方法和III族氮化物晶体管的制造方法
机译:用于外延层形成的III族氮化物晶体衬底,具有外延层III-氮化物晶体衬底和半导体器件
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