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许金通; 汤英文; 游达; 龚海梅; 李向阳; 赵德刚;
传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;
中国科学院半导体研究所,北京,100083;
氮化镓; 氧化; 光电子能谱分析;
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:调整p型氮化镓纳米线上的表面费米能级以实现有效的总水分解
机译:p型分布式布拉格反射器的数量对基于氮化镓(GaN)的垂直腔表面发射激光器性能的影响
机译:P型MBE镓氮化物生长的表面研究CDSE量子点
机译:用铍辅助分子束外延生长氮化镓与氮化镓和镁的p型掺杂问题
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:碳作为氮化镓替代P型掺杂剂的碳研究
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析
机译:用于制造p型氮化镓化合物半导体的方法,用于激活包含在氮化镓化合物半导体中的p型杂质的方法以及用于激活包含在氮化镓化合物半导体中的p型杂质的设备
机译:基于氮化镓的III-V族化合物LED的生产涉及在基板上的氮化镓的p型层的暴露表面上电镀含铍材料的膜。
机译:使用P型氮化镓基半导体制造方法和P型氮化镓基半导体的发光元件
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