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碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究

     

摘要

利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏电,增加器件工作电压和提高器件性能.

著录项

  • 来源
    《激光与红外》|2005年第11期|835-836,848|共3页
  • 作者单位

    传感技术国家重点实验室,上海技术物理研究所,中国科学院,上海,200083;

    传感技术国家重点实验室,上海技术物理研究所,中国科学院,上海,200083;

    传感技术国家重点实验室,上海技术物理研究所,中国科学院,上海,200083;

    传感技术国家重点实验室,上海技术物理研究所,中国科学院,上海,200083;

    传感技术国家重点实验室,上海技术物理研究所,中国科学院,上海,200083;

    传感技术国家重点实验室,上海技术物理研究所,中国科学院,上海,200083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 化合物半导体;表面性质;
  • 关键词

    光电子谱; HgCdTe; 表面硫化; 电学性质;

  • 入库时间 2022-08-18 03:12:11

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