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InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究

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摘要

传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展.基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦平面制备工艺的干法刻蚀技术.

著录项

来源
《激光与红外》 |2016年第1期|72-75|共4页
作者
谭振; 亢喆; 李海燕;
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作者单位

华北光电技术研究所,北京100015;

华北光电技术研究所,北京100015;

华北光电技术研究所,北京100015;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学器件;
关键词
电感耦合等离子体(ICP); 锑化铟; 台面刻蚀; 刻蚀速率; 刻蚀形貌;

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