氮气流量对氮化碳薄膜场致发射特性的影响

摘要

采用直流磁控溅射的方法,以镀Ti瓷片为衬底,改变N-2和Ar的流量比,在衬底温度为400℃条件下制备了氮化碳薄膜,并对其场致发射特性进行研究,样品的开启电压为2.67V/μm,最大电流密度为17.31μA/cm2,比在同一系统制备的碳膜和用阴极电弧技术制备的氮化碳薄膜有更好的场发射特性.结果表明:溅射气体中氮气含量对氮化碳薄膜的场发射特性有较大的影响.