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阎有花; 刘迎春; 方玲; 赵海花; 李德仁; 卢志超; 周少雄;
中国仪器仪表学会;
中国物理学会;
中国光学学会;
Cu-In薄膜; CuInS2薄膜; N2流量; 硫化法; 晶向生长; 光电转换材料;
机译:氮气流量比对Ta-Si-N薄膜微结构演变和纳米压痕力学性能的影响
机译:Al含量,衬底温度和氮气流量对TiAlN薄膜中反应磁控管共溅射纳米结构的影响,该薄膜打算用作DRAM中的阻挡材料
机译:氮气流量比对高功率脉冲磁控溅射制备的Alcrn涂层微结构和力学性能的影响
机译:氮气流量对溅射氮化铬薄膜机械和摩擦学性质的影响
机译:使用CUINS2 / Zns量子点的溶液吸光度提取介电函数对有序的Langmuir-Schaefer薄膜的光学特性建模
机译:通过磁控溅射中氮流量的氮气流量调节的Ti-Zr三元氮化物薄膜的结构组成和等离子体特性
机译:氮气流量对CrNx薄膜材料性能的影响\ ud 反应磁控溅射法生长
机译:Nasa Glenn的CuIns2薄膜太阳能电池研究进展
机译:通过金属有机化学气相沉积制备CuInS2薄膜的方法,用相同的方法制备的CuInS2薄膜及其制备In2S3薄膜的方法
机译:金属有机化学气相沉积Cuins2薄膜的制备方法,Cuins2薄膜的制备及其In2S3薄膜的制备方法
机译:用于关闭两个流体通道之间的流量的微结构阀包括一个凹口,该凹口的底部带有轻微倾斜的侧面,该侧面被薄膜覆盖,可以将薄膜压入该薄膜中以切断流量
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