掺杂SO2-4对In2O3电导和气敏性能的影响

摘要

用超声分散浸渍法制备了掺杂SO2-4的In2O3半导体气敏材料, 并对其电导和气敏性能进行了研究.结果表明: SO2-4的掺入改变了N型半导体In2O3材料的导电性能;少量SO2-4(w(SO2-4)≈2%)的存在,能提高材料的比表面积和表面吸附氧On-2量,187 ℃下对乙醇有较好的选择性和灵敏度.